استقصاء السطح البيني SiO2/Si المنمى بطريقة تقنية الأكسدة الانودية باستخدام حامض ألخليك

يتضمن هذا العمل التحري عن الخواص الفيزياوية وطوبغرافية السطح النانوي لغشاء SiO2 ذي سمك بحدود (2.2- 12.9) nm، والمنمى على أرضية سليكونية متعدد البلورات نوع p-type وذلك باستخدام تقنية الأكسدة الانودية وباستعمال محلول حامض ألخليك بوجود 0.1N KNO3 كاالكتروليت مساعد. في هذه التقنية تبين ظهور قمة التنشيط في منحني الاستقطاب. ولقد تبين من التحليل الكيميائي لسطح SiO2 باستخدام SEM بوجود عنصر الأوكسجين (O)، وعنصر الكاربون (C). وكذلك لوحظ أن سمك الاوكسيد SiO2 يزداد بزيادة جهد الإنماء. تم استخدام FTIR للتعرف على نوعية السطح البيني ل Si/SiO2 ولقد وجد إن قيمة كل من مقدار زحف حزمة الامتصاصية وزاوية الآصرة (Si – O – Si ) يعتمدان على سمك الاوكسيد. وأخيرا تم استخدام تقنية AFM لدراسة طوبغرافية النانوية لغشاء SiO2 ووجد أن هنالك علاقة بين سمك الاوكسيد ومعدل خشونة السطح إذ تزداد خشونة السطح مع زيادة سمك الاوكسيد.