تأثیر درجة حرارة الترسیب على الأداء الفیزیائی للمفرق المتباین (n-ZnO/p-Si)

اجریت دراسة مقارنة للخصائص الفیزیائیة لثنائی المفرق المتباین n-ZnO/p-Si، کدالة لدرجة حرارة الترسیب فی المدى (300-600 C). أغشیة اوکسید الزنک (ZnO) الرقیقة الموصلة الشفافة تم ترسیبها بتقنیة الترسیب البخاری الکیمیائی عند الضغط الجوی الاعتیادی (APCVD) على أرضیات من السلیکون (p-Si(100)) و الزجاج. کذلک تمت دراسة تأثیر تغییر درجة حرارة الترسیب على الخصائص المورفولوجیة والضوئیة لأغشیة (ZnO). ان قیم کلاً من معدل خشونة السطح (من 62.8 الى 18.8 نانومتر) والجذر التربیعی لمربع متوسط الخشونة (من 78.2 الى 24 نانومتر) لأغشیة (ZnO) تقل مع زیادة درجة حرارة الترسیب. أظهرت نتائج قیاس النفاذیة البصریة شفافیة جیدة ضمن نطاق الأطوال الموجیه المرئیه للأفلام المحضرة عند درجة حرارة أعلى من 400 C. کشفت خصائص تیار- فولتیة للثنائیات المتباینة سلوکاً تقویمیاً والذی یعتمد على درجة حرارة الترسیب. کما تأثرت المعلمات الکهربائیة للثنائیات n-ZnO/p-Si بدرجة حرارة الترسیب. تمتلک الثنائیات المحضرة عند درجة حرارة أعلى من 400 C تیار تشبع عکسی منخفض، ونسبة تقویم عالیة مقارنة بتلک المصنعة عند درجة حرارة منخفضة نسبیًا مثل 300 C أو 400 C. یمکن أن تکون مثل هذه الثنائیات المتباینة n-ZnO/p-Si المحضرة عند درجة حرارة منخفضة والتی تمتلک تیار تشبع عکسی منخفض مناسبة لتطبیقات الکشف الضوئی.