تأثیر فولتیة الأکسدة الانودیة ومعدن الاتصال الفوقی على الخواص الکهربائیة لنبیطة معدن / p-Si/SiO2

الملخصتم تحضیر نبائط معدن –أوکسید–شبه موصل لأرضیة من السلیکون نوع p-type ذات اتجاه(100) مع کل من العناصر الآتیةAl,Au,Cu والتی استخدمت للاتصال الفوقی باستخدام تقنیة الأکسدة الانودیة لمنظومة أکسدة ذات قطبین لتکوین طبقة رقیقة من ثانی اوکسید السلیکون SiO2 وباستخدام حامض HCl عیاریته 0.1Mعند فولتیات الأکسدة (0.5,1.0,1.5,2.0)Volt. إن نقاط التوصیل الأمامی للعناصر Al,Au,Cu، والتوصیل الاومی الخلفی تم بطریقة التبخیر الحراری فی جهاز التفریغ. ومن إجراء قیاسات سعة –فولتیة لجمیع النماذج المحضرة أعطت القیاسات تفاوتاً فی رسوم (C-V) لمختلف فولتیات الأکسدة ولهذا کانت حسابات سمک طبقة SiO2 لمختلف المعادن المستخدمة غیر خطیة ومتباینة السلوک لفولتیات الأکسدة نفسها,وإن قیم السعة للنماذج مع الذهب فی القطب العلوی کانت اکبر من نماذج النحاس والألمنیوم فی الاتصال الفوقی. أجریت قیاسات تیار-فولتیة فی حالة الظلام للنماذج التی تم تصنیعها مع المعادن (Al,Au,Cu) أظهرت القیاسات أنَّ اعتماد التیار على الفولتیة کان کبیراً فی حالة الانحیاز الأمامی أما فی حالة الانحیاز العکسی فلوحظ اعتماد التیار على الفولتیة یکون قلیلا، وهذه خاصیة ثنائی شوتکی. وتمت الاستفادة من هذه الخاصیة فی حساب ارتفاع حاجز الجهد (ΦB)، ولوحظ وجود اختلاف فی ارتفاع حاجز الجهد المتکون على سطح النبیطة وهذا بسبب اختلاف دالة الشغل لکل معدن مستخدم. تم حساب کفاءة الخلیة الشمسیة للنماذج من خواص (I-V) فی حالة الإضاءة المصنعة من أرضیة سلیکون نوع p-(100) مع الألمنیوم فی للاتصال الفوقی وکانت η=5% عند فولتیة الأکسدة 1.5volt ومع الذهب فی للاتصال الفوقی η=9% عند نفس الفولتیة